第三代半导体SiC研究框架:国产替代机遇与全球格局分析
本报告深入分析SiC(碳化硅)作为第三代半导体核心材料的发展现状与未来趋势,指出全球美欧日三足鼎立格局下美国一家独大。SiC将取代Si占据功率器件市场约10%份额,IDM模式为行业主流。国产厂商起步差距小,有望实现国产替代。重点关注北方华创、闻泰科技等产业链标的。
本报告深入分析SiC(碳化硅)作为第三代半导体核心材料的发展现状与未来趋势,指出全球美欧日三足鼎立格局下美国一家独大。SiC将取代Si占据功率器件市场约10%份额,IDM模式为行业主流。国产厂商起步差距小,有望实现国产替代。重点关注北方华创、闻泰科技等产业链标的。
本报告深入分析SiC(碳化硅)作为第三代半导体核心材料的发展现状与未来趋势,指出全球美欧日三足鼎立格局下美国一家独大。SiC将取代Si占据功率器件市场约10%份额,IDM模式为行业主流。国产厂商起步差距小,有望实现国产替代。重点关注北方华创、闻泰科技等产业链标的。
本报告深入分析SiC(碳化硅)作为第三代半导体核心材料的发展现状与未来趋势,指出全球美欧日三足鼎立格局下美国一家独大。SiC将取代Si占据功率器件市场约10%份额,IDM模式为行业主流。国产厂商起步差距小,有望实现国产替代。重点关注北方华创、闻泰科技等产业链标的。
本报告由方正证券发布,发布于 2020 年。
覆盖 2020 年,全文约 35。
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适合投资者、电子行业分析师、产业研究者等读者参考。
重点分析了管理咨询、替代机遇、SiC、框架等议题。