电子行业：4F2%2bCBA是国产DRAM大趋势-251130-中泰证券
王芳 S0740521120002，杨旭 S0740521120001，康丽侠S0740525040001 DRAM存在迭代瓶颈，4F²方案提供新路径。 随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺面临诸多瓶颈，如工艺完整性、漏电、干
报告摘要
王芳 S0740521120002，杨旭 S0740521120001，康丽侠S0740525040001 DRAM存在迭代瓶颈，4F²方案提供新路径。 随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺面临诸多瓶颈，如工艺完整性、漏电、干
核心要点
- 1、DRAM制程微缩面临瓶颈，4F²架构创新推动新发展
- 1.1 DRAM长期靠制程微缩提升存储密度
- 1.2 DRAM制程微缩瓶颈凸显
- 1.3 4F²存储单元架构创新助力DRAM密度再次提升
- 2、NAND已使用CBA工艺，4F² DRAM使用CBA的趋势已凸显
- 3、DRAM大厂积极推进4F²，海力士使用了类CBA技术
- 4、投资建议
报告信息
- 文件全名
- 《电子行业：4F2%2bCBA是国产DRAM大趋势-251130-中泰证券-42页.pdf》
- 适合读者
- 核心数据
- 4F²方案作为通向3D DRAM新路径，采用垂直晶体管构建，预计0a节点后量产，有望大幅提升DRAM存储密度，解决现有
- n 4F²优势：1）有效节约面积：4F²架构单元面积较6F²架构缩减约30%；
- 3）大幅减少漏电干扰：4F²字元线与位元线的垂直连接较传统架构减少60%电力干扰；
- Yole预测未来CBA技术有望引入DRAM迭代路径，
- 核心议题
常见问题
《电子行业：4F2%2bCBA是国产DRAM大趋势-251130-中泰证券》主要包含哪些内容?
王芳 S0740521120002，杨旭 S0740521120001，康丽侠S0740525040001 DRAM存在迭代瓶颈，4F²方案提供新路径。 随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺面临诸多瓶颈，如工艺完整性、漏电、干核心数据:4F²方案作为通向3D DRAM新路径，采用垂直晶体管构建，预计0a节点后量产，有望大幅提升DRAM存储密度，解决现有;n 4F²优势：1）有效节约面积：4F²架构单元面积较6F²架构缩减约30%；;3）大幅减少漏电干扰：4F²字元线与位元线的垂直连接较传统架构减少60%电力干扰；。
这份报告由哪家机构发布?
本报告由中泰证券发布,发布于 2025 年。
这份报告覆盖哪一年、篇幅多大?
覆盖 2025 年,全文约 42。
这份报告是免费的吗?如何获取?
本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。
这份报告适合哪些读者?
适合战略规划、行业研究员等读者参考。
报告涉及哪些关键议题?
重点分析了电容等议题。
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