电子行业深度-碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动-251124-五矿证券
碳化硅（SiC）成为驱动技术升级与效率革命的关键支撑。 登记编码：S0950524080002 半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和 漂移速
报告摘要
碳化硅（SiC）成为驱动技术升级与效率革命的关键支撑。 登记编码：S0950524080002 半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和 漂移速
核心要点
- 63 %
- 34 %
- 49 %
- 20 %
- 20 24/12
- 20 25/3
- 20 25/5
- 20 25/8
报告信息
- 文件全名
- 《电子行业深度-碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动-251124-五矿证券-25页.pdf》
- 适合读者
- 核心数据
- 碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提
- 在新能源领域，SiC 是实现高效节能的核心器件，我们预计 2030 年，全球
- 步普及，2025 年渗透率已达 11.17% ，SiC MOSFET 应用于主驱逆变器 、D CDC 转换器等核心部件，可使整车能耗降低 8%-10%。
- 需求端的全面爆发推动行业规模快速扩张，预计 2027 年碳化硅衬底供需紧
- 层、新能源汽车、AR 眼镜是三大核心增长点，我们预计到 2030 年需 求占比
- 核心议题
常见问题
《电子行业深度-碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动-251124-五矿证券》主要包含哪些内容?
碳化硅（SiC）成为驱动技术升级与效率革命的关键支撑。 登记编码：S0950524080002 半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和 漂移速核心数据:碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提;在新能源领域，SiC 是实现高效节能的核心器件，我们预计 2030 年，全球;步普及，2025 年渗透率已达 11.17% ，SiC MOSFET 应用于主驱逆变器 、D CDC 转换器等核心部件，可使整车能耗降低 8%-10%。。
这份报告由哪家机构发布?
本报告由五矿证券发布,发布于 2025 年。
这份报告覆盖哪一年、篇幅多大?
覆盖 2025 年,全文约 25。
这份报告是免费的吗?如何获取?
本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。
这份报告适合哪些读者?
适合战略规划、行业研究员等读者参考。
报告涉及哪些关键议题?
重点分析了半导体、芯片等议题。
继续阅读
查看全部 →