半导体行业SiC深度(一)：先进封装，英伟达、台积电未来的材料之选-251105-华西证券
先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选 戚舒扬(SAC NO:S1120523110001) 卜灿华(SAC NO:S1120524120006)
报告摘要
先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选 戚舒扬(SAC NO:S1120523110001) 卜灿华(SAC NO:S1120524120006)
核心要点
- 投资建议
- 虽然材料替换仍需产业和技术的进一步推进，但我们认为趋势上SiC有较大的可能获得一个全新巨大的增长机遇，SiC衬底与设备公司有望重点受益。
- 一、英伟达、台积电考虑使用SiC作为未来先进封装中介层
- 二、为何英伟达和台积电亟需解决CoWoS散热问题
- 三、为何SiC成为CoWoS interposer主要考虑对象
- 四、为何中国大陆SiC有望重点受益
- 五、SiC衬底、设备相关企业概况
- 六、投资建议
报告信息
- 文件全名
- 《半导体行业SiC深度(一)：先进封装，英伟达、台积电未来的材料之选-251105-华西证券-55页.pdf》
- 适合读者
- 核心数据
- 如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按CoWoS 28年后35%复合增长率和70%替换SiC 来推演，则30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万
- 虽然材料替换仍需产业和技术的进一步推进，但我们认为趋势上SiC有较大的可能获得一个全新巨大的增长机遇，SiC衬底与设备公司有望重点受益。
- 根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。
- • 解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题
- 根据《高算力Chiplet的热管理技术研究进展》，集成电路发展受到“功耗墙”的严重制约。
- 核心议题
常见问题
《半导体行业SiC深度(一)：先进封装，英伟达、台积电未来的材料之选-251105-华西证券》主要包含哪些内容?
先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选 戚舒扬(SAC NO:S1120523110001) 卜灿华(SAC NO:S1120524120006)核心数据:如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按CoWoS 28年后35%复合增长率和70%替换SiC 来推演，则30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万;虽然材料替换仍需产业和技术的进一步推进，但我们认为趋势上SiC有较大的可能获得一个全新巨大的增长机遇，SiC衬底与设备公司有望重点受益。;根据行家说三代半，9月2日，据中国台湾媒体报道，英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。。
这份报告由哪家机构发布?
本报告由根据北京大学发布,发布于 2025 年。
这份报告覆盖哪一年、篇幅多大?
覆盖 2025 年,全文约 55。
这份报告是免费的吗?如何获取?
本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。
这份报告适合哪些读者?
适合战略规划、行业研究员等读者参考。
报告涉及哪些关键议题?
重点分析了制造、设备、材料等议题。
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