专用设备行业深度研究：HBM，堆叠互联，方兴未艾-241119-天风证券

SAC执业证书编号：S1110522080001 HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节：3D堆叠方式允许芯片在垂直方向上连接，大大增加了单 位面积内的存储密度和带宽，每一层通过硅通孔和微凸点互连技术与其他层连接，互联技术尤为重要。核心数据:HBM制造流程主要包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节：3D堆叠方式允许芯片在垂直方向上连接，大大增加了单;铜填充设备：解决高深宽比微孔内的金属化问题，提高互联孔的可靠性，系整个 TSV 工艺里最核心、难度最大的工艺；;KGSD测试：主要包括逻辑芯片测试、动态向量老化应力测试、TSV测试、高速性能测试、PHY I/O测试以及2.5D SIP测试。。

本报告由天风证券发布,发布于 2024 年。

覆盖 2024 年,全文约 37。

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适合战略规划、行业研究员等读者参考。

重点分析了制造、电子、设备等议题。