新型存储技术报告：算力需求驱动HBM、PCM、MRAM及存算一体发展-方正证券2023
算力需求井喷，新型存储技术突破存储墙与工艺极限。HBM以TSV工艺实现高带宽低功耗，PCM突破2nm物理极限，存算一体预计2025年达125亿元，MRAM有望取代SRAM缓存。方正证券深度解析产业趋势与国内产业链机遇。
报告摘要
算力需求井喷，新型存储技术突破存储墙与工艺极限。HBM以TSV工艺实现高带宽低功耗，PCM突破2nm物理极限，存算一体预计2025年达125亿元，MRAM有望取代SRAM缓存。方正证券深度解析产业趋势与国内产业链机遇。
核心要点
- HBM
- 相变存储器PCM
- 存算一体
- 磁性存储器MRAM
报告信息
- 文件全名
- 《电子行业专题报告：新型存储，算力之光-方正证券》
- 适合读者
- 核心数据
- 125亿元
- 1136亿元
- 核心议题
常见问题
《新型存储技术报告：算力需求驱动HBM、PCM、MRAM及存算一体发展-方正证券2023》主要包含哪些内容?
算力需求井喷，新型存储技术突破存储墙与工艺极限。HBM以TSV工艺实现高带宽低功耗，PCM突破2nm物理极限，存算一体预计2025年达125亿元，MRAM有望取代SRAM缓存。方正证券深度解析产业趋势与国内产业链机遇。核心数据:125亿元;1136亿元。
这份报告由哪家机构发布?
本报告由方正证券发布,发布于 2023 年。
这份报告覆盖哪一年、篇幅多大?
覆盖 2023 年,全文约 46.0。
这份报告是免费的吗?如何获取?
本报告为付费报告,可在资料宝站内下单后获取完整内容。
这份报告适合哪些读者?
适合电子行业投资者、技术研究人员、算力相关从业者等读者参考。
报告涉及哪些关键议题?
重点分析了管理咨询、MRAM、方正证券、HBM等议题。
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