碳化硅行业专题:第三代半导体上车+追光,市场规模62.97亿美元
碳化硅功率器件耐高压、低损耗,2027年全球市场空间有望达62.97亿美元,六年CAGR约34%。新能源汽车800V平台和光伏逆变器加速渗透,SiC MOSFET替代IGBT,国产替代机遇明确。
碳化硅功率器件耐高压、低损耗,2027年全球市场空间有望达62.97亿美元,六年CAGR约34%。新能源汽车800V平台和光伏逆变器加速渗透,SiC MOSFET替代IGBT,国产替代机遇明确。
碳化硅功率器件耐高压、低损耗,2027年全球市场空间有望达62.97亿美元,六年CAGR约34%。新能源汽车800V平台和光伏逆变器加速渗透,SiC MOSFET替代IGBT,国产替代机遇明确。
碳化硅功率器件耐高压、低损耗,2027年全球市场空间有望达62.97亿美元,六年CAGR约34%。新能源汽车800V平台和光伏逆变器加速渗透,SiC MOSFET替代IGBT,国产替代机遇明确。核心数据:10.90亿美元;62.97亿美元。
本报告由国泰君安发布,发布于 2023 年。
覆盖 2023 年,全文约 20.0。
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适合新能源从业者、投资机构、电子行业研究者等读者参考。
重点分析了新能源、碳化硅、亿美元、追光等议题。